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在相同激光辐照时间下，年4能力样品温度会随V5S8厚度和激光功率增大而升高，化学反应速率加快从而得到高价态的钒氧化物。上组 图3VO2的可控制备与电学性质(a)V5S8-VO2-V5S8异质结器件的光学照片。

这项成果不但为VO2合成提供了新思路，合电核实而且深化了人们对激光辐照下二维材料氧化规律的认识。器供(c)相同样品在不同热导率基底上的温度差异。应商(d-g)激光辐照后样品的光学照片及其俄歇电子能谱元素分布图。

小结该工作针对传统方法合成VO2需要控制极低的氧分压，资质合成时间长，资质图案化工艺复杂的关键问题，利用激光直写局部加热V5S8在常压大气环境中实现了亚稳态VO2的动力学限制的秒级图案化合成，并进一步构建了基于V5S8-VO2-V5S8横向异质结的Mott忆阻器,具有突变转移特性曲线的场效应晶体管和基于V5S8-VSxOy-V5S8横向异质结NTCR器件，对钒氧化物基新型电子器件发展具有重要意义。信息(e)激光辐照下样品的升降温曲线。

国网规范(e-g)异质结的原子力显微镜照片和高度曲线。

该论文以Ultrafast,KineticallyLimited,AmbientSynthesisofVanadiumDioxidesthroughLaserDirectWritingonUltrathinChalcogenideMatrix为题发表在国际著名学术期刊ACSNano上，年4能力第一作者为清华大学材料学院博士生王博伦。上组（b-d）三个样品的对应SEM图像。

合电核实（b）基于sc-SiFs的实际器件照片。具有柔性、器供透明等新颖特性的器件是下一代光电子的发展趋势，器供尽管单晶硅材料是商业化芯片、各类传感器上广泛应用的出色的活性材料，但由于常用硅晶圆刚性，脆性和不透明性的特点，它们并不适用于制造柔性透明器件。

2.sc-SiFs机械性能分析图2：应商（a）对厚度为20μm，弯曲半径为0.5mm的sc-Si样品内部应变分布进行有限元分析（FEA）。例如，资质硅晶片的大规模生产促进了太阳能电池的发展，现已成为清洁能源领域的最主要产品。